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产地 | 上海 |
品牌 | 肖晃纳米 |
货号 | XH-AlN-30 |
用途 | 用于制造集成电路基板,电子器件,光学器件,散热器 |
包装规格 | 100g/500g/1kg/5kg |
CAS编号 | 24304-00-5 |
纯度 | 99.9-99.999% |
是否进口 | 否 |
纳米氮化铝(Nano Aluminum Nitride,简称Nano-AlN)是一种具备高热导率、电绝缘性和化学稳定性的陶瓷纳米材料。相较于常规粒径的氮化铝粉体,纳米级氮化铝由于粒径更小、比表面积更大,在材料加工和微观结构控制方面展现出独特优势,是当前先进陶瓷、电子封装和高性能复合材料研究中的重要原料之一。 中文名称:纳米氮化铝 英文名称:Nano Aluminum Nitride 化学式:AlN 分子量:40.99 晶体结构:六方晶系,纤锌矿型结构 外观特征:白色或灰白色纳米粉末 纳米氮化铝具有优良的热学和电学特性,同时具备高熔点、低介电常数和抗腐蚀能力等优势。其典型物理性质如下: 粒径范围:一般在20~100 nm 热导率:理论值高达约 320 W/m·K(体材料) 电绝缘性:高电阻率,适用于绝缘领域 熔点:约为2200℃ 密度:约3.26 g/cm3 表面活性:比表面积大,易于复合分散处理 化学稳定性:对多数酸和有机溶剂稳定,对水略敏感 纳米氮化铝的制备工艺较为复杂,通常采用以下几种主流方法: 气相合成法:如直接氮化反应、气相沉积法,适用于高纯度产品制备; 碳热还原氮化法:以氧化铝和碳为原料,在氮气氛围中高温反应制得; 溶胶-凝胶法:适用于制备分散性良好的超细粉体; 等离子体法:通过高能等离子反应快速合成纳米AlN。 不同工艺可控制最终产品的粒径、分布、结晶性和纯度。
一、基本信息
二、理化性质
三、制备方法
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