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产地 | 上海 |
品牌 | 肖晃纳米 |
货号 | XH-AlN-30 |
用途 | 用于制造集成电路基板,电子器件,光学器件,散热器 |
包装规格 | 100g/500g/1kg/5kg |
CAS编号 | 24304-00-5 |
纯度 | 99.9-99.999% |
是否进口 | 否 |
纳米氮化铝(Nano Aluminum Nitride, 简称nano-AlN)是一种粒径在纳米尺度(通常小于100纳米)的陶瓷粉体材料,具有优良的热导率、电绝缘性和化学稳定性。作为一种典型的宽禁带半导体材料,它在高性能电子封装、热管理和复合材料领域展现出显著的材料潜力。 纳米氮化铝为白色或灰白色粉末,呈六方晶系结构。其在微观尺度下展现出以下特性: 热导率高:理想晶体的热导率可达200 W/m·K 以上; 低热膨胀系数:与硅材料匹配性好; 优良电绝缘性:电阻率高、介电常数低; 耐高温、耐腐蚀性强:在中性和还原性气氛中稳定; 纳米效应显著:比表面积大,反应活性高,便于与其他材料复合。 纳米氮化铝的合成方式需在高温或特定气氛中进行,常见制备方法包括: 直接氮化法:将超细铝粉在氮气或氨气氛中高温反应制得; 碳热还原氮化法:以氧化铝为原料,在碳源和氮气共同作用下高温反应; 溶胶-凝胶法:先制备含铝溶胶,通过氮化处理获得纳米级产物; 气相沉积法(CVD):适用于制备纯度高、分散性好的纳米粉体; 高能球磨法:机械合成过程中控制粒径,同时促进氮化反应。
一、基本特性
二、常见制备方法
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