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| 产地 | 上海 |
| 品牌 | 肖晃纳米 |
| 货号 | XH-SnO2-001 |
| 用途 | 用于高介电常数的陶瓷材料 |
| 包装规格 | 100g/500g/1kg/5kg |
| CAS编号 | |
| 纯度 | 99.9-99.999% |
| 是否进口 | 否 |
产品介绍：
产品特点：
白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和9.68 g/cm3。
熔点2780~2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。
产品参数：
| 产品归类 | 货号 | 平均粒径 | 纯度（%） | 形貌 | 颜色 |
| 亚微米级 | XH-HfO2-200 | 200nm | ＞99.9 | 近球形 | 白色 |
| 亚微米级 | XH-HfO2-300 | 300nm | ＞99.9 | 近球形 | 白色 |
| 亚微米级 | XH-HfO2-800 | 800nm | ＞99.9 | 近球形 | 白色 |
| 微米级 | XH-HfO2-001 | 1um | ＞99.9 | 近球形 | 白色 |
| 微米级 | XH-HfO2-003 | 3um | ＞99.9 | 近球形 | 白色 |
| 本公司可根据客户要求提供不同粒径和纯度的微纳米粉体定制生产 | |||||
产品应用：
二氧化铪(HfO?)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它最可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?)，以解决目前MOSFET中传统SiO?/Si结构的发展的尺寸极限问题。
产品包装：
本品为充惰气包装，密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜暴露空气中，防受潮发生氧化团聚，影响分散性能和使用效果；包装数量可以根据客户要求提供，分装。
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